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BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速I(mǎi)GBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個(gè)額外的開(kāi)爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開(kāi)爾文發(fā)射極端子，繞過(guò)柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)能量。主要規(guī)格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國(guó)產(chǎn)替代，AIKW50N65RF5國(guó)產(chǎn)替代），BGH50N65HS1 (IKW50N65SS5國(guó)產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1 （IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國(guó)產(chǎn)替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國(guó)產(chǎn)替代），BGH75N65HS1 (IKW75N65SS5國(guó)產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國(guó)產(chǎn)替代），BGH40N120HF（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國(guó)產(chǎn)替代）,BGH75N120HS (IKQ75N120CH3國(guó)產(chǎn)替代，IKQ75N120CS6國(guó)產(chǎn)替代，)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應(yīng)用包括：車(chē)載充電機(jī)（OBC）、ESS儲(chǔ)能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) ，基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特... [詳細(xì)介紹]